收藏本站
SPE-11-8-140/C/SS     Page 5 of 11
 
3.3 Axial Ratio
 
 
Test Mode
Freq (MHz)     Max Gain (dBi)     Min Gain (dBi)
Avg Gain (dBi)     Source Polar.
Axial Ratio
1575.42
-1.67 / 359.10     -40.80 / 263.03    -6.46
CP
 
 
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4012-A0-GT TRANSMITTER RF 27-960MHZ 10-MSOP
SI4020-I1-FT IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4021-A1-FT IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4022-A0-FT IC TX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SI4711-B30-GM IC TX FM RADIO 76-108MHZ 20UQFN
SI4713-B30-GMR IC TX FM RADIO RPS/RDS 20UQFN
SKY12146-321LF IC VAR VOLT ATTEN 12QFN
SN171GG-NR SNAP PROTOBOARD W/NO RADIO
相关代理商/技术参数
SGP02N120 功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP02N120_07 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGP02N120XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SGP02N120XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO220-3
SGP02N60 功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP02N60_07 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGP02N60XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 6.0A 30W TO220-3
SGP04G72D1BC2SA-BBWRT 制造商:Swissbit 功能描述:TBD